RH6P040BHTB1 与 BSZ440N10NS3 G 区别
| 型号 | RH6P040BHTB1 | BSZ440N10NS3 G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-RH6P040BHTB1 | A-BSZ440N10NS3 G |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Nch 100V 40A, HSMT8, Power MOSFET | 系列:OptiMOS™ |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 59W | 29W |
| 上升时间 | - | 1.8ns |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| Qg-栅极电荷 | - | 9.1nC |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 8S |
| 典型关闭延迟时间 | - | 9.1ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | HSMT8 | PG-TSDSON-8 |
| 连续漏极电流Id | 40A | 18A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 配置 | - | Single |
| 系列 | - | OptiMOS™ |
| 长度 | - | 3.3mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 6V,10V |
| 下降时间 | - | 2ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 4.3ns |
| 导通电阻Rds(On) | 15.6mΩ@40A,10V | 44mΩ@12A,10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 640pF @ 50V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.7V @ 12µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 9.1nC @ 10V |
| 高度 | - | 1.10mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 130 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RH6P040BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 40A 100V HSMT8 59W ±20V 15.6mΩ@40A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 130 | 当前型号 |
|
BSZ160N10NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 40A 14mΩ 20V 63W N-Channel -55°C~150°C PG-TSDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
ISZ230N10NM6 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
PG-TSDSON-8 FL |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
BSZ340N08NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
80V 23A 34mΩ@12A,10V 20V 32W -55°C~150°C PG-TSDSON-8 N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
BSZ440N10NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 100V 18A 44mΩ@12A,10V ±20V 29W N-Channel PG-TSDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
BSZ146N10LS5 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 40A 20.8mΩ N-Channel 1.1V,2.3V PG-TSDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
